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结果: 找到相关主题 5799 个

  • MOS管(MOSFET)基础知识:结构,特性,驱动电路分析-KIA MOS管

    MOS管(MOSFET)基础知识：结构,特性,驱动电路 下面是对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料。包括MOS管的介绍，特性，驱动。MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型

    1 次查看 MOS管(MOSFET)基础知识:结构 特性 驱动电路分析-KIA MOS管

    www.kiaic.com/article/detail/2386.html         2020-10-15

  • MOS管的本征增益gmro-的特征与频率解析-KIA MOS管

    MOS管的本征增益gmro-的特征与频率解析-KIA MOS管 MOS管增益指的是一个电路单元的输出电流与该单元的输入电压的比值。mos管增益由跨导来表示：就是一个电路单元的输出电流与该单元的输入电压的比值，这个电路单元通常指放大器。

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    www.kiaic.com/article/detail/2380.html         2020-10-14

  • 场效应管稳压电路-稳压电源，电路图详解-KIA MOS管

    场效应管稳压电路-稳压电源，电路图详解-KIA MOS管 场效应管稳压电路图（一） 场效应管稳压电路，?图所示的是采用功率场效应管组成的简易稳压电源电路。稳压二极管VD1及RP1组成一可调恒压源，向VT3提供参考电压，VT2、VT3组成比较放大器，VT1为调整管。该电路...

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    www.kiaic.com/article/detail/2370.html         2020-10-14

  • MOS管开通,关断-了解MOS管的开通,关断原理分析-KIA MOS管

    MOS管的开通关断 了解MOS管的开通,关断原理你就会发现，使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂，一般情况下意义不大，所以很少采用。

    0 次查看 MOS管开通 关断-了解MOS管的开通 关断原理分析-KIA MOS管

    www.kiaic.com/article/detail/2385.html         2020-10-14

  • MOS管钳位电压计算及MOSFET钳位电路工作原理-KIA MOS管

    MOS管钳位电压计算 MOS管钳位，?在开关电源中，每当MOS管有导通变为截止时，都会产生一个尖峰电压，尖峰电压是由于高频变压器存在漏感；在开关管截止时，连同输入电压Ui和感应电压UoR一起叠加在MOS管上，如果MOS管没有足够大的耐压值，那么就会损坏MOS。

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    www.kiaic.com/article/detail/2384.html         2020-10-14

  • 影响MOSFET性能的一些因素-这些知识务必要了解-KIA MOS管

    影响MOSFET性能有哪些因素？在追求不断提高能效的过程中，MOSFET的芯片和封装也在不断改进。除了器件结构和加工工艺，MOSFET的性能还受其他几个周围相关因素的影响。影响MOSFET性能，这些因素包括封装阻抗、印刷电路板(PCB)布局、互连线寄生效应和开关速度。事...

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    www.kiaic.com/article/detail/2381.html         2020-10-13

  • MOS管的重要特性及结构，四种类型-KIA MOS管

    MOS管的重要特性，MOS管的类型及结构 MOS管是FET的一种（另一种为JFET结型场效应管），主要有两种结构形式：N沟道型和P沟道型；又根据场效应原理的不同，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和增强型（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之...

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    www.kiaic.com/article/detail/2378.html         2020-10-13

  • 什么是场效应管的夹断电压-夹断电压的作用及测试-KIA MOS管

    什么是场效应管的夹断电压和开启电压?概念:场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件。

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    www.kiaic.com/article/detail/2377.html         2020-10-13

  • MOS管热阻参数解读及热阻测试原理-KIA MOS管

    MOS管热阻参数解读（热阻、输入输出电容及开关时间）定义：热阻指的是当有热量在物体上传输时，在物体两端温度差与热源的功率之间的比值，单位是℃/W或者是K/W。半导体散热的三个途径，封装顶部到空气，封装底部到电路板，封装引脚到电路板。

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    www.kiaic.com/article/detail/2376.html         2020-10-12

  • MOS管知识-mosfet体效应(衬偏效应)详解-KIA MOS管

    关于MOSFET的体效应（body-effect,衬底调制效应／衬偏效应），主要是来源于mos管的S-B(Source-Bulk)端之间的偏压对MOSFET阈值电压vth的影响：以NMOS为例，当晶体管的（Source)电势高于体端（Bulk)电势时，栅下面的表面层中将有更多的空穴被吸引到衬底，使耗尽层...

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    www.kiaic.com/article/detail/2373.html         2020-10-12

  • 场效应管如何精准控制电路中电流的大小-KIA MOS管

    场效应管如何控制电路电流-场效应管控制电路电流，场效应管即可用于放大电流，又可以作为可变电阻，还能用作电子开关，现已广泛应用于电子设备中。而在使用过程中，场效应管是通过加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。

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    www.kiaic.com/article/detail/2379.html         2020-10-12

  • MOS管工作原理详解：各种mos管的转移特性曲线分析-KIA MOS管

    金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变...

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    www.kiaic.com/article/detail/2374.html         2020-10-10

  • MOS管30V95A参数 KCX3303 高效高品质 原厂直销-KIA MOS管

    MOS管30V95A参数 KCX3303 高效高品质 原厂直销-KIA MOS管 MOS管30V95A参数中文 1.特点 RDS(on) =2.2mΩ（typ.) @ VGS =10V 先进的沟槽技术 低栅电荷 高电流能力 符合RoHS和无卤素标准

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    www.kiaic.com/article/detail/2369.html         2020-10-10

  • 1500V​3A 变频器 KNX42150A 1500V​3A参数附件-KIA MOS管

    1500V?3A 变频器 KNX42150A 1500V?3A参数附件-KIA MOS管 1500V?3A参数 变频器? 1.产品特点 高速开关 RDS(ON),typ. =6.5Ω@V GS =10V 全隔离塑料包装 2.应用 交换应用

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    www.kiaic.com/article/detail/2364.html         2020-10-10

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